半導(dǎo)體高溫試驗設(shè)備的測試標(biāo)準(zhǔn)

編輯：廣東星拓環(huán)境試驗設(shè)備科技有限公司 2020-10-18　

半導(dǎo)體需要做哪些高溫試驗？

半導(dǎo)體器件工作在大電流和高電壓的條件下，工作過程中功率的耗散會引起器件溫度的升高，因此器件在特定溫度下各項電學(xué)參數(shù)達(dá)標(biāo)是器件正常工作最基本的保障。對半導(dǎo)體器件進(jìn)行高溫測試是檢測器件在特定溫度下各項電學(xué)參數(shù)是否達(dá)標(biāo)的必要手段，高溫測試包括；飽和導(dǎo)通壓降測試、耐壓測試、短路耐量等靜態(tài)測試，開啟時間、關(guān)斷時間等的動態(tài)測試。

半導(dǎo)體試驗標(biāo)準(zhǔn)

國際電工委員會，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲存試驗的標(biāo)準(zhǔn)

IEC 60749-6-2017 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6-2017 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6 Corrigendum 1-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

IEC 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

韓國標(biāo)準(zhǔn)，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲存試驗的標(biāo)準(zhǔn)

KS C IEC 60749-6-2004 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

德國標(biāo)準(zhǔn)化學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲存試驗的標(biāo)準(zhǔn)

DIN EN 60749-6-2003 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫儲存

法國標(biāo)準(zhǔn)化協(xié)會，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲存試驗的標(biāo)準(zhǔn)

NF C96-022-6-2002 半導(dǎo)體裝置.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存

英國標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲存試驗的標(biāo)準(zhǔn)

BS EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.高溫下儲存

歐洲電工標(biāo)準(zhǔn)化委員會，關(guān)于半導(dǎo)體 高溫儲存試驗的標(biāo)準(zhǔn)

EN 60749-6-2002 半導(dǎo)體器件.機(jī)械和氣候試驗方法.第6部分:高溫下儲存 部分替代EN 60749-1999+A1-2000+A2-2001;IEC 60749-6-2002

半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍很廣，需要面臨的環(huán)境考驗也就越多，所以環(huán)境耐氣候試驗必不可少。